俄罗斯政府近日宣布，将投入超过2400亿卢布（约合25.4亿美元）的资金，用于支持国产半导体制造所需的设备、CAD工具及原材料的研发。这一计划旨在推动国产半导体设备和材料的国产替代，实现对国外约70%半导体设备和材料的国产化。

据报道，已有50多个组织参与了该计划的实施。目前已启动了41个研发项目，预计将在未来几年内启动更多的项目。这一计划由俄罗斯工业部、贸易部、俄罗斯国际科学技术中心（ISTC）MIET电子工程部制定，涉及半导体制造的多个环节，包括技术设备、材料和化学品、计算机辅助设计（CAD）系统等。

然而，目前俄罗斯芯片制造商Angstrem、Mikron等所能够生产的最先进的制程工艺仍然停留在65nm或90nm等成熟节点，并且大量依赖于国外的半导体制造设备，尤其是光刻设备。此外，俄罗斯还面临着来自美国、欧盟、日本等国家和地区对半导体的出口管制，导致进口相关芯片和微电子制造设备变得更加困难。

为了解决这些问题，俄罗斯工业部和贸易部以及ISTC制定了国产替代计划，以加速实现半导体设备的关键部件的本地化生产。该计划涵盖了多种不同的技术和工艺路线，包括从180nm到28nm的微电子学、微波电子学、光子学、电力电子学、光掩模生产、电子元件和模块的组装、无源电子学的生产等。

尽管这一计划的战略目标非常明确，即到2030年实现大约70%的芯片制造设备和原材料的国产化，但在具体的实施过程中，由于缺乏详细的细节，执行起来存在一定的难度。例如，俄罗斯计划在2026年底实现利用国产设备来生长单晶、切割硅晶圆、研磨和抛光、洗涤和干燥、应用元素并控制输出产品的X射线衍射仪、缺陷控制等方面的技术突破，但对于如何实现这一目标，仍需进一步探讨。

总的来说，尽管俄罗斯政府采取了一系列积极的措施，如引进先进的国产设备和技术，但要完全实现国产化还需要付出巨大的努力和时间。此外，随着半导体产业在全球范围内的竞争日益激烈，俄罗斯还需要与其他主要竞争对手争夺市场份额，以便最终达到其战略目标。